반도체 디바이스(예: 다이오드ㆍ트랜지스터ㆍ반도체 기반 트랜스듀서), 감광성 반도체 디바이스(광전지는 모듈에 조립되었거나 패널로 구성되었는지 여부와 관계없이 포함한다), 발광다이오드[(엘이디), 다른 발광다이오드와 결합되었는지 여부과 관계없이 포함한다], 장착된 압전기 결정소자
| 품목번호 | 품명 | 기본세율 |
|---|---|---|
| 8541.10-1000 | 칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼 | 8% |
| 8541.10-9000 | 기타 | 8% |
| 8541.21-1000 | 칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼 | 8% |
| 8541.21-9000 | 기타 | 8% |
| 8541.29-1000 | 칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼 | 8% |
| 8541.29-9000 | 기타 | 8% |
| 8541.30-1000 | 칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼 | 8% |
| 8541.30-2000 | 사이리스터(thyristor) | 8% |
| 8541.30-3000 | 다이액(diac) | 8% |
| 8541.30-4000 | 트라이액(triac) | 8% |
| 8541.41-1000 | 레이저소자 | 8% |
| 8541.41-9000 | 기타 | 8% |
| 8541.42-0000 | 광전지(모듈에 조립되었거나 패널로 구성된 것은 제외한다) | 8% |
| 8541.43-0000 | 광전지(모듈에 조립되었거나 패널로 구성된 것으로 한정한다) | 8% |
| 8541.49-1000 | 칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼 | 8% |
| 8541.49-2000 | 광전도 셀 | 8% |
| 8541.49-3000 | 전하결합소자 | 8% |
| 8541.49-9000 | 기타 | 8% |
| 8541.51-1000 | 센서 | 8% |
| 8541.51-2000 | 액추에이터 | 8% |
| 8541.51-3000 | 공진기 | 8% |
| 8541.51-4000 | 오실레이터 | 8% |
| 8541.59-1000 | 칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼 | 8% |
| 8541.59-9000 | 기타 | 8% |
| 8541.60-1000 | 수정진동자 | 8% |
| 8541.60-9000 | 기타 | 8% |
| 8541.90-2000 | 다이오드의 것 | 8% |
| 8541.90-3000 | 트랜지스터의 것 | 8% |
| 8541.90-9000 | 기타 | 8% |
기본세율만 표시합니다. 협정세율(FTA)·조정관세는 품목과 원산지에 따라 달라지며, 최종 분류와 세율은 관세사가 확인해야 합니다.